BRF4N65S Todos los transistores

 

BRF4N65S MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BRF4N65S

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 102 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 44 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.7 Ohm

Encapsulados: TO-220F

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BRF4N65S datasheet

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History: HM15N10D | BRD7002K2 | CPC3730C | AOD504 | 2SK3112-S

 

 

 

 

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