BRF4N70 Todos los transistores

 

BRF4N70 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BRF4N70
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 36 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F
 

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BRF4N70 datasheet

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History: SI4668DY | JMTG021N04A | R6004KNX | CEB18N5 | NVB5860N | P4402FAG | BUZ73A

 

 
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