BRF65R280C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BRF65R280C
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 30 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 650 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 14 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4.5 V
Carga de la puerta (Qg): 26 nC
Tiempo de subida (tr): 40 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 50 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.28 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220F
Búsqueda de reemplazo de MOSFET BRF65R280C
BRF65R280C Datasheet (PDF)
brf65r280c.pdf
BRF65R280C Rev.B May.-2022 DATA SHEET / Descriptions TO-220F N 650V N-CHANNEL 650V Super-Junction Power MOSFET in a TO-220F Plastic Package. / Features RDS(on)Qg100% ROHS Very low RDS(on)Qg,100%avalanche tested,RoHS compliant. / Applications
brf65r380c.pdf
BRF65R380C Rev.B May.-2022 DATA SHEET / Descriptions TO-220F N 650V N-CHANNEL 650V Super-Junction Power MOSFET in a TO-220F Plastic Package. / Features RDS(on)Qg100% ROHS Very low RDS(on)Qg,100% avalanche tested,RoHS compliant. / Applications
brf65r650c.pdf
BRF65R650C Rev.B May.-2022 DATA SHEET / Descriptions TO-220F N 650V N-CHANNEL 650V Super-Junction Power MOSFET in a TO-220F Plastic Package. / Features RDS(on)Qg100% ROHS Very low RDS(on)Qg,100% avalanche tested,RoHS compliant. / Applications
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