BRF65R380C Todos los transistores

 

BRF65R380C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BRF65R380C
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 27 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 35 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.38 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F
 

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BRF65R380C Datasheet (PDF)

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BRF65R380C

BRF65R380C Rev.B May.-2022 DATA SHEET / Descriptions TO-220F N 650V N-CHANNEL 650V Super-Junction Power MOSFET in a TO-220F Plastic Package. / Features RDS(on)Qg100% ROHS Very low RDS(on)Qg,100% avalanche tested,RoHS compliant. / Applications

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BRF65R380C

BRF65R650C Rev.B May.-2022 DATA SHEET / Descriptions TO-220F N 650V N-CHANNEL 650V Super-Junction Power MOSFET in a TO-220F Plastic Package. / Features RDS(on)Qg100% ROHS Very low RDS(on)Qg,100% avalanche tested,RoHS compliant. / Applications

 8.2. Size:1143K  blue-rocket-elect
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BRF65R380C

BRF65R280C Rev.B May.-2022 DATA SHEET / Descriptions TO-220F N 650V N-CHANNEL 650V Super-Junction Power MOSFET in a TO-220F Plastic Package. / Features RDS(on)Qg100% ROHS Very low RDS(on)Qg,100%avalanche tested,RoHS compliant. / Applications

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History: STF10NM60N | HCU7NE70S

 

 
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