BRFL20N50 Todos los transistores

 

BRFL20N50 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BRFL20N50

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 38.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 120 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 350 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.26 Ohm

Encapsulados: TO-220FL

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BRFL20N50 datasheet

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BRFL20N50

BRFL20N50 Rev.E Nov.-2017 DATA SHEET / Descriptions TO-220FL N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220FL Plastic Package. / Features Low gate charge Low Crss Fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suit

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BRFL20N50

BRFL20N65 Rev.A May.-2023 DATA SHEET / Descriptions TO-220FL N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220FL Plastic Package. / Features , , Low gate charge, Low Crss , Fast switching. / Applications UPS High efficiency switch mode pow

 9.1. Size:1236K  blue-rocket-elect
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BRFL20N50

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History: RU30C40M3 | MTP45N05E | DMC3021LSD | MEM554 | 4N65G-K08-5060-R | APM2321AC

 

 

 

 

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