BRFL24N50 Todos los transistores

 

BRFL24N50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BRFL24N50
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 24 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 214 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 5.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 311 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.25 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220FL

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BRFL24N50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1236K  blue-rocket-elect
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BRFL24N50 Rev.A Sep.-2023 DATA SHEET / Descriptions TO-220FL N MOS N-Channel MOSFET in a TO-220FL Plastic Package. / Features V =500V I =24A DS DRDS(ON)@10V0.25(Typ. 0.17) RDS(ON)@6V0.3(Typ. 0.18m) / Applications

 9.1. Size:862K  blue-rocket-elect
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BRFL20N50 Rev.E Nov.-2017 DATA SHEET / Descriptions TO-220FL N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220FL Plastic Package. / Features Low gate chargeLow Crss Fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suit

 9.2. Size:1072K  blue-rocket-elect
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BRFL20N65 Rev.A May.-2023 DATA SHEET / Descriptions TO-220FL N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220FL Plastic Package. / Features ,, Low gate charge, Low Crss , Fast switching. / Applications UPS High efficiency switch mode pow

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