BRFL7N65S Todos los transistores

 

BRFL7N65S MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BRFL7N65S

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 160 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm

Encapsulados: TO-220FL

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BRFL7N65S datasheet

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BRFL7N65S

BRFL7N65S Rev.A Dec.-2023 DATA SHEET / Descriptions TO-220FL N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220FL Plastic Package. / Features Low gate charge, low crss, fast switching,Have good Electromagnetic Interference porformance. / Applications

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BRFL7N65 Rev.G Dec.-2017 DATA SHEET / Descriptions TO-220FL N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220FL Plastic Package. / Features , , Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high effic

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BRFL7N60 Rev.E Dec.-2017 DATA SHEET / Descriptions TO-220FL N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220FL Plastic Package. / Features , , Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high effic

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BRFL7N80 Rev.E. Nov.-2017 DATA SHEET / Descriptions TO-220FL N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220FL Plastic Package. / Features Low gate charge,Low Crss,Fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited fo

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History: S2N7002KW | SML20L100 | RUE002N02 | 2SK1197 | HY3410B | HY3410PM | RF4E110BN

 

 

 

 

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