RU3030M3 Todos los transistores

 

RU3030M3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RU3030M3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 29 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 12 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3030
 

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RU3030M3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:733K  ruichips
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RU3030M3

RU3030M3N-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 30V/30A,RDS (ON) =7m(Typ.)@VGS=10VRDS (ON) =10m(Typ.)@VGS=4.5V Uses Ruichips advanced TrenchTM technologyGS Excellent QgxRDS(on) product(FOM)SSS Reliable and RuggedR li bl d R d 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)DDPIN1DDDFN

 7.1. Size:330K  ruichips
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RU3030M3

RU3030M2N-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 30V/30A, RDS (ON) =10m(Typ.)@VGS=10VDDD RDS (ON) =15m(Typ.)@VGS=4.5V D Super High Dense Cell Design Fast Switching Speed Low gate Charge 100% avalanche tested GSSS Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)PIN1PIN1PDFN3333DApplications Switching Applic

 8.1. Size:301K  ruichips
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RU3030M3

RU30300RN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 30V/300A,RDS (ON) =1.7m (Typ.) @ VGS=10V,IDS=75A Ultra Low On-Resistance Fast Switching and Fully Avalanche Rated 100% avalanche testedTO-220 175C Operating Temperature Lead Free and Green AvailableApplications DC/DC Converters UPSN-Channel MOSFETAbsolute Maximum Ra

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