RU30C30M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: RU30C30M
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 36 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 18 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 190 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5060

Búsqueda de reemplazo de MOSFET RU30C30M

RU30C30M Datasheet (PDF)

..1. Size:333K ruichips
ru30c30m.pdf

RU30C30MComplementary Advanced Power MOSFETFeat res Pin DescriptionFeatures Pin Description N-ChannelD130V/30A,D1RDS (ON) =7.5m(Typ.) @ VGS=10VD2D2RDS (ON) =9.5m(Typ.) @ VGS=4.5VS1 P-ChannelG1-30V/-30A,30V/ 30A,S2S2RDS (ON) =15m (Typ.) @ VGS=-10V G2RDS (ON) =20m (Typ.) @ VGS=-4.5V Uses Ruichips Advanced TrenchTM Technology Ultr

9.1. Size:850K ruichips
ru30c40m3.pdf

RU30C40M3Complementary Advanced Power MOSFETF t Pi D i tiFeatures Pin Description N-Channel30V/35A, G2RDS (ON) =8m(Typ.) @ VGS=10V G1S2S1RDS (ON) =10m(Typ.) @ VGS=4.5V P-Channel-30V/-40A,30V/ 40A,RDS (ON) =13m (Typ.) @ VGS=-10VD2RDS (ON) =18m (Typ.) @ VGS=-4.5VD1D2D1 Uses Ruichips Advanced TrenchTM Technologypin1 Ultra Low On-Resista

9.2. Size:410K ruichips
ru30c20m3.pdf

RU30C20M3Complementary Advanced Power MOSFETF t Pi D i tiFeatures Pin Description N-Channel30V/20A, G2RDS (ON) =8m(Typ.) @ VGS=10V G1S2S1RDS (ON) =10m(Typ.) @ VGS=4.5V P-Channel-30V/-20A,30V/ 20A,RDS (ON) =25m (Typ.) @ VGS=-10VD2RDS (ON) =38m (Typ.) @ VGS=-4.5VD1D2D1 Uses Ruichips Advanced TrenchTM Technologypin1 Ultra Low On-Resista

9.3. Size:336K ruichips
ru30c8h.pdf

RU30C8HComplementary Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description N-ChannelD230V/8A,D2RDS (ON) =12m(Typ.) @ VGS=10VD1RDS (ON) =16m(Typ.) @ VGS=4.5VD1 P-Channel-30V/-7A,G2RDS (ON) =18m (Typ.) @ VGS=-10VS2RDS (ON) =25m (Typ.) @ VGS=-4.5VG1 Reliable and Ruggedpin1S1 ESD Protected Lead Free and Green Devices Available (RoHS Complia

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History: DAMI280N200 | SVF10N80K

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: