RU6051H MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RU6051H
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 37 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 370 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm
Encapsulados: SOP-8
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RU6051H datasheet
ru6051h.pdf
RU6051H N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 60V/50A, D RDS (ON) =8.5m (Typ.)@VGS=10V D RDS (ON) =9.5m (Typ.)@VGS=4.5V D Uses Ruichips Advanced TrenchTM Technology D Ultra Low On-Resistance G Fast Switching Speed S 100% Avalanche Tested S Lead Free and Green Devices (RoHS Compliant) S SOP-8 D D D D (8
ru6051k.pdf
RU6051K N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 60V/50A, RDS (ON) =10m (Typ.)@VGS=10V RDS (ON) =12m (Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) G D S TO251 D D D D D D D Applications pp DC-DC Converters
ru6050s.pdf
RU6050S N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 60V/50A, RDS (ON) =10m (Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available TO-263 (RoHS Compliant) Applications DC-DC Converters and Off-line UPS N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Ra
ru6055s.pdf
RU6055S N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 60V/60A, RDS (ON) =9m (Typ.) @ VGS=10V Ultra Low On-Resistance Fast Switching 100% avalanche tested 175 C Operating Temperature TO-263 Lead Free,RoHS compliant Applications Switching Application Systems N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rating Unit C
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