RUH30J51M Todos los transistores

 

RUH30J51M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RUH30J51M
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 34 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 195 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5060
 

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RUH30J51M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:684K  ruichips
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RUH30J51M

RUH30J51M Dual Symmetric N-Channel MOSFETFeatures Pin Description 30V/50A,S2S2RDS (ON) =5m(Typ.)@VGS=10VS2G2RDS (ON) =8m(Typ.)@VGS=4.5V Ultra Low On-Resistance Fast Switching SpeedD1D1D1 100% avalanche tested 100% avalanche testedD1 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)G1PIN1DFN5*6Applicationspp DC/DC Co

 8.1. Size:286K  ruichips
 ruh30j105m.pdf pdf_icon

RUH30J51M

RUH30J105MDual Asymmetric N-Channel MOSFETFeatures Pin Description Die 1 30V/30ARDS (ON) =6m(Typ.)@VGS=10VRDS (ON) =9m(Typ.)@VGS=4.5V Die 2 30V/120ARDS (ON) =2.2m(Typ.)@VGS=10VRDS (ON) =3.0m(Typ.)@VGS=4.5V Ultra Low On-Resistance Uses Ruichips advanced SGT technology 100% avalanche testedPIN1 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Com

 8.2. Size:286K  ruichips
 ruh30j85m.pdf pdf_icon

RUH30J51M

RUH30J85MDual Asymmetric N-Channel MOSFETFeatures Pin Description Die 1 30V/30ARDS (ON) =6m(Typ.)@VGS=10VRDS (ON) =9m(Typ.)@VGS=4.5V Die 2 30V/90ARDS (ON) =3.5m(Typ.)@VGS=10VRDS (ON) =5m(Typ.)@VGS=4.5V Ultra Low On-Resistance Uses Ruichips advanced SGT technology 100% avalanche testedPIN1 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Complia

 8.3. Size:286K  ruichips
 ruh30j95m.pdf pdf_icon

RUH30J51M

RUH30J95MDual Asymmetric N-Channel MOSFETFeatures Pin Description Die 1 30V/30ARDS (ON) =6m(Typ.)@VGS=10VRDS (ON) =9m(Typ.)@VGS=4.5V Die 2 30V/90ARDS (ON) =2.8m(Typ.)@VGS=10VRDS (ON) =4.2m(Typ.)@VGS=4.5V Ultra Low On-Resistance Uses Ruichips advanced SGT technology 100% avalanche testedPIN1 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compl

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History: AP65SL130AR | HM2015DN03Q | HMS80N10 | AP5600N | CMPFJ176 | 2N7002BKV | 2SK1727

 

 
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