RUH30J85M Todos los transistores

 

RUH30J85M MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RUH30J85M

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 37 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 590 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm

Encapsulados: DFN5060

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RUH30J85M datasheet

 ..1. Size:286K  ruichips
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RUH30J85M

RUH30J85M Dual Asymmetric N-Channel MOSFET Features Pin Description Die 1 30V/30A RDS (ON) =6m (Typ.)@VGS=10V RDS (ON) =9m (Typ.)@VGS=4.5V Die 2 30V/90A RDS (ON) =3.5m (Typ.)@VGS=10V RDS (ON) =5m (Typ.)@VGS=4.5V Ultra Low On-Resistance Uses Ruichips advanced SGT technology 100% avalanche tested PIN1 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Complia

 8.1. Size:286K  ruichips
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RUH30J85M

RUH30J105M Dual Asymmetric N-Channel MOSFET Features Pin Description Die 1 30V/30A RDS (ON) =6m (Typ.)@VGS=10V RDS (ON) =9m (Typ.)@VGS=4.5V Die 2 30V/120A RDS (ON) =2.2m (Typ.)@VGS=10V RDS (ON) =3.0m (Typ.)@VGS=4.5V Ultra Low On-Resistance Uses Ruichips advanced SGT technology 100% avalanche tested PIN1 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Com

 8.2. Size:286K  ruichips
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RUH30J85M

RUH30J95M Dual Asymmetric N-Channel MOSFET Features Pin Description Die 1 30V/30A RDS (ON) =6m (Typ.)@VGS=10V RDS (ON) =9m (Typ.)@VGS=4.5V Die 2 30V/90A RDS (ON) =2.8m (Typ.)@VGS=10V RDS (ON) =4.2m (Typ.)@VGS=4.5V Ultra Low On-Resistance Uses Ruichips advanced SGT technology 100% avalanche tested PIN1 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compl

 8.3. Size:716K  ruichips
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RUH30J85M

RUH30J120M Dual Asymmetric N-Channel MOSFET Features Pin Description Die 1 30V/50A RDS (ON) =3.8m (Typ.)@VGS=10V RDS (ON) =5.5m (Typ.)@VGS=4.5V Die 2 30V/120A RDS (ON) =2.2m (Typ.)@VGS=10V RDS (ON) =3.0m (Typ.)@VGS=4.5V Ultra Low On-Resistance Uses Ruichips advanced SGT technology 100% avalanche tested PIN1 Lead Free and Green Devices Available (RoHS

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