RUH6080R MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RUH6080R
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 176 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 27 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 390 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
Encapsulados: TO220
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RUH6080R datasheet
ruh6080m3-c.pdf
RUH6080M3-C N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 60V/80A, RDS (ON) =5.3m (Typ.)@VGS=10V D D D RDS (ON) =6.5m (Typ.)@VGS=4.5V D Uses Ruichips Advanced RUISGTTM Technology Low Gate Charge Minimizing Switching Loss G Ultra Low On-Resistance S S Excellent QgxRDS(on) product(FOM) S 100% Avalanche Tested PIN1 Lead Free and Green De
ruh60120m.pdf
RUH60120M N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 60V/120A, RDS (ON) =4m (Typ.)@VGS=10V G RDS (ON) =4.5m (Typ.)@VGS=4.5V S S S Uses Ruichips Advanced RUISGTTM Technology D Low Gate Charge Minimizing Switching Loss Ultra Low On-Resistance DD Excellent QgxRDS(on) product(FOM) DD 100% Avalanche Tested PIN1 Lead Free and Green Devic
ruh60120l.pdf
RUH60120L N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 60V/120A, D RDS (ON) =3.2m (Typ.)@VGS=10V RDS (ON) =3.6m (Typ.)@VGS=4.5V Uses Ruichips Advanced RUISGTTM Technology Ultra Low On-Resistance Excellent QgxRDS(on) Product 100% Avalanche Tested 175 C Operating Temperature G Lead Free and Green Devices (RoHS Compliant) S TO252 D Appli
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