RUH85150R Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RUH85150R 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 306 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 85 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 150 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 38 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 770 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.004 Ohm
Encapsulados: TO220
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RUH85150R datasheet
ruh85150r.pdf
RUH85150R N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 85V/150A, RDS (ON) =3.4m (Typ.)@VGS=10V Uses Ruichips advanced RUISGTTM Technology Ultra Low On-Resistance Excellent QgxRDS(on) Product 100% Avalanche Tested 100% A l h T t d 175 C Operating Temperature Lead Free and Green Devices (RoHS Compliant) G D S TO220 D D D D D D Appl
ruh85120m-c.pdf
RUH85120M-C N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 85V/120A, G RDS (ON) =4m (Typ.)@VGS=10V S S RDS (ON) =5.5m (Typ.)@VGS=4.5V S D Ultra Low On-Resistance Fast Switching Speed DD 100% Avalanche Tested DD Uses Ruichips advanced SGTTM technology Lead Free and Green Devices (RoHS Compliant) PIN1 DFN5060 D Applications Synchronou
ruh85120s.pdf
RUH85120S N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 85V/120A, D RDS (ON) =4.6m (Typ.)@VGS=10V Uses Ruichips advanced SGTTM technology Ultra Low On-Resistance Excellent QgxRDS(on) Product 100% Avalanche Tested 100% A l h T t d Fast Switching and Fully Avalanche Rated Lead Free and Green Devices (RoHS Compliant) G S TO263 D D D D D
ruh85100m-c.pdf
RUH85100M-C N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 85V/100A, RDS (ON) =6.5m (Typ.)@VGS=10V D RDS (ON) =9.5m (Typ.)@VGS=4.5V D Ultra Low On-Resistance D Fast Switching Speed D 100% Avalanche Tested Uses Ruichips advanced RUISGTTM technology G Lead Free and Green Devices (RoHS Compliant) S S S PIN1 DFN5060 D Applications Syn
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Parámetros del MOSFET. Cómo se afectan entre sí.
History: HGP046NE6AL | JFAM50N50C
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