H2N60P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: H2N60P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 54 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 7.2 nC
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220AB

Búsqueda de reemplazo de MOSFET H2N60P

H2N60P Datasheet (PDF)

..1. Size:374K cn haohai electr
h2n60p h2n60f.pdf

2N60 SeriesN-Channel MOSFET2A, 600V, N H FQP2N60C H2N60P P: TO-220ABHAOHAI 50Pcs 1000Pcs 5000Pcs2N60FQPF2N60C H2N60F F: TO-220FP2N60 Series Pin AssignmentAPPLICATIONID=2AELECTRONIC BALLAST

9.1. Size:1336K lonten
lnd2n60 lnc2n60 lng2n60 lnh2n60.pdf

LND2N60/LNC2N60/LNG2N60/LNH2N60Lonten N-channel 600V, 2A Power MOSFETDescription Product SummaryThe Power MOSFET is fabricated using the V 600VDSSadvanced planer VDMOS technology. The I 2ADresulting device has low conduction resistance, R 4.5DS(on),maxsuperior switching performance and high avalance Q 10.2 nCg,typenergy.Features Low RDS(on) Low gate charge

9.2. Size:410K cn haohai electr
h2n60u h2n60d.pdf

2N60 SeriesN-Channel MOSFET2A, 600V, N H FQU2N60C H2N60U U: TO-251 80/ 4Kpcs/ 24KpcsHAOHAI2N60FQD2N60C H2N60D D: TO-252 25Kpcs 2.5K/ 5Kpcs/2N60 Series Pin AssignmentFeaturesID=1.8A

Otros transistores... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , AON7410 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: