H2N60F Todos los transistores

 

H2N60F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: H2N60F
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 23 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F
     - Selección de transistores por parámetros

 

H2N60F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:374K  cn haohai electr
 h2n60p h2n60f.pdf pdf_icon

H2N60F

2N60 SeriesN-Channel MOSFET2A, 600V, N H FQP2N60C H2N60P P: TO-220ABHAOHAI 50Pcs 1000Pcs 5000Pcs2N60FQPF2N60C H2N60F F: TO-220FP2N60 Series Pin AssignmentAPPLICATIONID=2AELECTRONIC BALLAST

 9.1. Size:1336K  lonten
 lnd2n60 lnc2n60 lng2n60 lnh2n60.pdf pdf_icon

H2N60F

LND2N60/LNC2N60/LNG2N60/LNH2N60Lonten N-channel 600V, 2A Power MOSFETDescription Product SummaryThe Power MOSFET is fabricated using the V 600VDSSadvanced planer VDMOS technology. The I 2ADresulting device has low conduction resistance, R 4.5DS(on),maxsuperior switching performance and high avalance Q 10.2 nCg,typenergy.Features Low RDS(on) Low gate charge

 9.2. Size:410K  cn haohai electr
 h2n60u h2n60d.pdf pdf_icon

H2N60F

2N60 SeriesN-Channel MOSFET2A, 600V, N H FQU2N60C H2N60U U: TO-251 80/ 4Kpcs/ 24KpcsHAOHAI2N60FQD2N60C H2N60D D: TO-252 25Kpcs 2.5K/ 5Kpcs/2N60 Series Pin AssignmentFeaturesID=1.8A

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: IRFB7440PBF | TK14C65W | VS4622DE | SHD220301 | NCE30D0808J | SDF4N60 | P2503NVG

 

 
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