H5N60D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: H5N60D
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 80 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.5 Ohm
Encapsulados: TO-252
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H5N60D datasheet
h5n60u h5n60d.pdf
5N60 Series N-Channel MOSFET 5A, 600V, N H FQU5N60C H5N60U U TO-251 80 / 4Kpcs/ 24Kpcs 5N60 HAOHAI FQD5N60C H5N60D D TO-252 25Kpcs 2.5K/ 5Kpcs/ 5N60 Series Pin Assignment Features ID=3.6A Ori
rej03g1118 h5n6001pds.pdf
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h5n60p h5n60f.pdf
5N60 Series N-Channel MOSFET 4.5A, 600V, N H FQP5N60C H5N60P P TO-220AB 5N60 HAOHAI 50Pcs 1000Pcs 5000Pcs FQPF5N60C H5N60F F TO-220FP 5N60 Series Pin Assignment Features ID=4.5A Originative New De
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