H90N71P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: H90N71P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 170 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 71 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 6.8 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 85.7 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 54.3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 630.6 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0068 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220AB

Búsqueda de reemplazo de MOSFET H90N71P

H90N71P Datasheet (PDF)

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h90n71p h90n71f.pdf

H90N71N-Channel MOSFET90A, 71V, N H FQP90N71C H90N71P P: TO-220AB90N71 HAOHAI 50Pcs 1000Pcs 5000PcsFQPF90N71C H90N71F F: TO-220FPH90N71 Series Pin AssignmentThe H90N71 uses advanced trench technology a

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Liste

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