HPD032N02STA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HPD032N02STA
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 81 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 37 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 460 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
Búsqueda de reemplazo de HPD032N02STA MOSFET
HPD032N02STA Datasheet (PDF)
hpd032n02sta.pdf
HPD032N02STAProduct Summary 20V, 90AApplicationVDS20 V N-CHANNEL POWER MOSFETLoad SwitchPWM ApplicationRDS(ON)4 mFeaturesPower managementRDS(ON)
Otros transistores... HMDN3010D , HNM2302 , HNM2302ALB , HNM7002 , HNM7002E , HPB068NE7STA , HPD025N03STA , HPD026N02STA , IRF1404 , HPD045N03CTA , HPP045N03CTA , HPD160N06STA , HPD180PNE1DTA , HPD4004STA , HPD4006CTA , HPB400N06CTA , HPP400N06CTA .
History: N0300P | AS3523 | PTA20N60 | CPH6636R | CS6N60FA9H-G | 7N80L-TA3-T | IRF7103I
History: N0300P | AS3523 | PTA20N60 | CPH6636R | CS6N60FA9H-G | 7N80L-TA3-T | IRF7103I
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
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