NCE025N30K Todos los transistores

 

NCE025N30K MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NCE025N30K

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 115 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 445 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0052 Ohm

Encapsulados: TO-252

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NCE025N30K datasheet

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NCE025N30K

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NCE025N30K

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NCE025N30K

Pb Free Product http //www.ncepower.com NCE0250D NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE0250D uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =200V,ID =50A RDS(ON)

 9.1. Size:326K  ncepower
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NCE025N30K

http //www.ncepower.com NCE0224F NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE0224F uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =200V,ID =24A RDS(ON)

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