BL13N25L-U MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: BL13N25L-U
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 137 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 23.1 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 114 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.28 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-251

Búsqueda de reemplazo de MOSFET BL13N25L-U

BL13N25L-U Datasheet (PDF)

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bl13n25l-p bl13n25l-a bl13n25l-u bl13n25l-d.pdf

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7.1. Size:1197K belling
bl13n25-p bl13n25-a bl13n25-u bl13n25-d.pdf

BL13N25 Power MOSFET 1Description Step-Down Converter BL13N25, the silicon N-channel Enhanced , MOSFETs, is obtained by advanced MOSFET technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor is suitable device for SMPS, high speed switching and general purpose applications. KEY CHARACTERISTICS Pa

9.1. Size:1299K belling
bl13n50-p bl13n50-a.pdf

BL13N50 Power MOSFET 1Description BL13N50, the silicon N-channel Enhanced MOSFETs, is obtained by advanced MOSFET technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor is suitable device for SMPS, high speed switching and general purpose applications. KEY CHARACTERISTICS Parameter Value Unit V 500 V

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Liste

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