BL18N20-U MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BL18N20-U

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 130 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 52 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 450 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.18 Ohm

Encapsulados: TO-251

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BL18N20-U datasheet

 ..1. Size:1586K  belling
 bl18n20-p bl18n20-a bl18n20-u bl18n20-d.pdf pdf_icon

BL18N20-U

BL18N20 Power MOSFET 1 Description Step-Down Converter BL18N20, the silicon N-channel Enhanced , MOSFETs, is obtained by advanced MOSFET technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor is suitable device for SMPS, high speed switching and general purpose applications. KEY CHARACTERISTICS Pa

 9.1. Size:29K  international rectifier
 irfbl18n50k.pdf pdf_icon

BL18N20-U

PD- 93928 PROVISIONAL IRFBL18N50K SMPS MOSFET HEXFET Power MOSFET Applications VDSS RDS(on) ID Telecom and Data-Com off-Line SMPS UninterruptIble Power Supply 500V 0.25 18A Benefits Low On-Resistance High Speed Switching Low Gate Drive Current Due to Improved Gate Charge Characteristics Improved Avalanche Ruggedness and Dynamic dv/dt, Fully Characterized Avalanche Vo

Otros transistores... BL15N25-P, BL15N25-U, BL15N50-A, BL15N50-F, BL15N50-P, BL18N20-A, BL18N20-D, BL18N20-P, IRFB31N20D, BL19N40-A, BL19N40-P, BL20N50-A, BL20N50-K, BL20N50-P, BL20N50-W, BL20N60-A, BL20N60-F