BL2N50-A Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BL2N50-A  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 21 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 42 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm

Encapsulados: TO-220F

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BL2N50-A datasheet

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BL2N50-A

BL2N50 Power MOSFET 1 Description Step-Down Converter BL2N50, the silicon N-channel Enhanced , MOSFETs, is obtained by advanced MOSFET technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor is suitable device for SMPS, high speed switching and general purpose applications. KEY CHARACTERISTICS Para

Otros transistores... BL25N40-P, BL25N40-W, BL25N50-F, BL25N50-W, BL25N60-F, BL25N60-W, BL25N65-F, BL25N65-W, IRFP460, BL2N50-D, BL2N50-P, BL2N50-U, BL2N60-A, BL2N60-D, BL2N60-P, BL2N60-U, BL30N30-A