BL33N25-A Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BL33N25-A 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 62 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 250 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 33 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 75 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 465 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.15 Ohm
Encapsulados: TO-220F
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BL33N25-A datasheet
bl33n25-p bl33n25-a.pdf
BL33N25 Power MOSFET 1 Description Step-Down Converter BL33N25, the silicon N-channel Enhanced , MOSFETs, is obtained by advanced MOSFET technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor is suitable device for SMPS, high speed switching and general purpose applications. KEY CHARACTERISTICS Pa
Otros transistores... BL30N30-B, BL30N30-P, BL30N50-F, BL30N50-W, BL30N60-F, BL30N60-W, BL30N65-F, BL30N65-W, 7N65, BL33N25-P, BL3N100-A, BL3N100-D, BL3N100E-A, BL3N100E-D, BL3N100E-P, BL3N100E-U, BL3N100-P
History: BL3N100E-U
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Liste
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