BL40N25-W Todos los transistores

 

BL40N25-W MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BL40N25-W
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 310 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 620 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 360 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.08 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-3PN
     - Selección de transistores por parámetros

 

BL40N25-W Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1413K  belling
 bl40n25-f bl40n25-w.pdf pdf_icon

BL40N25-W

BL40N25 Power MOSFET 1Description Step-Down Converter BL40N25, the silicon N-channel Enhanced , MOSFETs, is obtained by advanced MOSFET technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor is suitable device for SMPS, high speed switching and general purpose applications. KEY CHARACTERISTICS Pa

 9.1. Size:1416K  belling
 bl40n30l-f bl40n30l-w.pdf pdf_icon

BL40N25-W

BL40N30L Power MOSFET 1Description Step-Down Converter BL40N30L, the silicon N-channel Enhanced , MOSFETs, is obtained by advanced MOSFET technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor is suitable device for SMPS, high speed switching and general purpose applications. KEY CHARACTERISTICS

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History: FTK5N80DD | CSD85312Q3E | DMN6040SSD

 

 
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