BL6N120-A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BL6N120-A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 63 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 1200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 122 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.9 Ohm

Encapsulados: TO-220F

 Búsqueda de reemplazo de BL6N120-A MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

BL6N120-A datasheet

 ..1. Size:1176K  belling
 bl6n120-p bl6n120-a bl6n120-w bl6n120-k bl6n120-f.pdf pdf_icon

BL6N120-A

BL6N120 Power MOSFET 1 Description Step-Down Converter BL6N120, the silicon N-channel Enhanced , MOSFETs, is obtained by advanced MOSFET technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor is suitable device for SMPS, high speed switching and general purpose applications. KEY CHARACTERISTICS Pa

Otros transistores... BL5N135-P, BL5N135-W, BL5N50-A, BL5N50-D, BL5N50-P, BL5N50-U, BL60N25-F, BL60N25-W, IRF740, BL6N120-F, BL6N120-K, BL6N120-P, BL6N120-W, BL6N40-A, BL6N40-D, BL6N40-P, BL6N40-U