BL7N60A-D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: BL7N60A-D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 252 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 23 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 85 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.25 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET BL7N60A-D

BL7N60A-D Datasheet (PDF)

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bl7n60a-p bl7n60a-a bl7n60a-u bl7n60a-d.pdf

BL7N60A Power MOSFET Power MOSFETPower MOSFETPower MOSFET1Description BL7N60A, the silicon N-channel Enhanced MOSFETs, is obtained by advanced MOSFET technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor is suitable device for SMPS, high speed switching and general purpose application

9.1. Size:600K belling
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BL7N65B Power MOSFET Power MOSFETPower MOSFETPower MOSFET1Description BL7N65B, the silicon N-channel Enhanced MOSFETs, is obtained by advanced MOSFET technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor is suitable device for SMPS, high speed switching and general purpose application

9.2. Size:600K belling
bl7n65a-p bl7n65a-a bl7n65a-u bl7n65a-d.pdf

BL7N65A Power MOSFET Power MOSFETPower MOSFETPower MOSFET1Description BL7N65A, the silicon N-channel Enhanced MOSFETs, is obtained by advanced MOSFET technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor is suitable device for SMPS, high speed switching and general purpose application

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Liste

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