BL7N60A-U Todos los transistores

 

BL7N60A-U MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BL7N60A-U
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 252 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 23 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 85 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.25 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-251
     - Selección de transistores por parámetros

 

BL7N60A-U Datasheet (PDF)

 ..1. Size:598K  belling
 bl7n60a-p bl7n60a-a bl7n60a-u bl7n60a-d.pdf pdf_icon

BL7N60A-U

BL7N60A Power MOSFET Power MOSFETPower MOSFETPower MOSFET1Description BL7N60A, the silicon N-channel Enhanced MOSFETs, is obtained by advanced MOSFET technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor is suitable device for SMPS, high speed switching and general purpose application

 9.1. Size:600K  belling
 bl7n65b-p bl7n65b-a bl7n65b-u bl7n65b-d.pdf pdf_icon

BL7N60A-U

BL7N65B Power MOSFET Power MOSFETPower MOSFETPower MOSFET1Description BL7N65B, the silicon N-channel Enhanced MOSFETs, is obtained by advanced MOSFET technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor is suitable device for SMPS, high speed switching and general purpose application

 9.2. Size:600K  belling
 bl7n65a-p bl7n65a-a bl7n65a-u bl7n65a-d.pdf pdf_icon

BL7N60A-U

BL7N65A Power MOSFET Power MOSFETPower MOSFETPower MOSFET1Description BL7N65A, the silicon N-channel Enhanced MOSFETs, is obtained by advanced MOSFET technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor is suitable device for SMPS, high speed switching and general purpose application

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History: FTK5N80DD | CSD85312Q3E

 

 
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