BL7N65A-A Todos los transistores

 

BL7N65A-A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BL7N65A-A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 42 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 85 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F
 

 Búsqueda de reemplazo de BL7N65A-A MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

BL7N65A-A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:600K  belling
bl7n65a-p bl7n65a-a bl7n65a-u bl7n65a-d.pdf pdf_icon

BL7N65A-A

BL7N65A Power MOSFET Power MOSFETPower MOSFETPower MOSFET1Description BL7N65A, the silicon N-channel Enhanced MOSFETs, is obtained by advanced MOSFET technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor is suitable device for SMPS, high speed switching and general purpose application

 8.1. Size:600K  belling
bl7n65b-p bl7n65b-a bl7n65b-u bl7n65b-d.pdf pdf_icon

BL7N65A-A

BL7N65B Power MOSFET Power MOSFETPower MOSFETPower MOSFET1Description BL7N65B, the silicon N-channel Enhanced MOSFETs, is obtained by advanced MOSFET technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor is suitable device for SMPS, high speed switching and general purpose application

 9.1. Size:598K  belling
bl7n60a-p bl7n60a-a bl7n60a-u bl7n60a-d.pdf pdf_icon

BL7N65A-A

BL7N60A Power MOSFET Power MOSFETPower MOSFETPower MOSFET1Description BL7N60A, the silicon N-channel Enhanced MOSFETs, is obtained by advanced MOSFET technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor is suitable device for SMPS, high speed switching and general purpose application

Otros transistores... BL6N70A-A , BL6N70A-D , BL6N70A-P , BL6N70A-U , BL7N60A-A , BL7N60A-D , BL7N60A-P , BL7N60A-U , 7N65 , BL7N65A-D , BL7N65A-P , BL7N65A-U , BL7N65B-A , BL7N65B-D , BL7N65B-P , BL7N65B-U , BL7N70-A .

History: BL7N70A-P | IPD038N04NG

 

 
Back to Top

 


History: BL7N70A-P | IPD038N04NG

BL7N65A-A
  BL7N65A-A
  BL7N65A-A
 

social 

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: AP5N10SI | AP5N10MI | AP5N10BSI | AP5N10BI | AP5N06MI | AP5N04MI | AP55N10F | AP50P10P | AP50P10NF | AP50P10D | AP50P04DF | AP50P04D | AP50P03NF | AP50P03DF | AP50P03D | AP30N10D

 

 

 
Back to Top

 

Popular searches

2sa1943 | tip41c datasheet | mje15032 | tip32c datasheet | mje15032g | irf1404 | bc550 | irf9530

 


 
.