BL7N65B-A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: BL7N65B-A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 42 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.25 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F

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BL7N65B-A Datasheet (PDF)

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bl7n65b-p bl7n65b-a bl7n65b-u bl7n65b-d.pdf

BL7N65B Power MOSFET Power MOSFETPower MOSFETPower MOSFET1Description BL7N65B, the silicon N-channel Enhanced MOSFETs, is obtained by advanced MOSFET technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor is suitable device for SMPS, high speed switching and general purpose application

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BL7N65A Power MOSFET Power MOSFETPower MOSFETPower MOSFET1Description BL7N65A, the silicon N-channel Enhanced MOSFETs, is obtained by advanced MOSFET technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor is suitable device for SMPS, high speed switching and general purpose application

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bl7n60a-p bl7n60a-a bl7n60a-u bl7n60a-d.pdf

BL7N60A Power MOSFET Power MOSFETPower MOSFETPower MOSFET1Description BL7N60A, the silicon N-channel Enhanced MOSFETs, is obtained by advanced MOSFET technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor is suitable device for SMPS, high speed switching and general purpose application

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