BL80N20L-F Todos los transistores

 

BL80N20L-F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BL80N20L-F
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 390 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 155 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 250 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 968 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247
     - Selección de transistores por parámetros

 

BL80N20L-F Datasheet (PDF)

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BL80N20L-F

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 7.1. Size:507K  belling
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BL80N20L-F

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