BL80N20L-F MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BL80N20L-F
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 390 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 250 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 968 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm
Encapsulados: TO-247
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BL80N20L-F datasheet
bl80n20l-w bl80n20l-f.pdf
BL80N20L Power MOSFET 1 Description Step-Down Converter BL80N20L, the silicon N-channel , Enhanced MOSFETs, is obtained by advanced MOSFET technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor is suitable device for SMPS, high speed switching and general purpose applications. KEY CHARACTERISTICS
bl80n20-w bl80n20-f.pdf
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History: AON6405
History: AON6405
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