BL9N20-U MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BL9N20-U

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.32 Ohm

Encapsulados: TO-251

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BL9N20-U datasheet

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 bl9n20-p bl9n20-a bl9n20-u bl9n20-d.pdf pdf_icon

BL9N20-U

BL9N20 Power MOSFET Power MOSFET Power MOSFET Power MOSFET 1 Description BL9N20, the silicon N-channel Enhanced MOSFETs, is obtained by advanced MOSFET technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor is suitable device for SMPS, high speed switching and general purpose application

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