BLM07N06-D Todos los transistores

 

BLM07N06-D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BLM07N06-D
   Código: M07N06
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 143 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 95 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 80 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 36 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 345 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.007 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252

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BLM07N06-D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1125K  belling
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Green Product BLM07N06 60V N-Channel Power MOSFET DESCRIPTION KEY CHARACTERISTICS The BLM07N06 uses advanced trench technology to provide V = 60V,I = 95A DS Dexcellent R , low gate charge. It can be used in a wide R

 8.1. Size:919K  belling
blm07n20-c.pdf

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BLM07N20Power MOSFET1. DescriptionAdvantagesBLM07N20 uses advanced trench technology anddesign to provide excellent R with low gateDS(ON)charge. It can be used in a wide variety ofapplications.Key CharacteristicsParameter Value UnitV 200 VDS@Tj.maxI 155 ADR 6.5 mDS(ON).TypFeatures High power and current handing capability Lead free product

 9.1. Size:534K  belling
blm075n04-d.pdf

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BLM075N04 Power MOSFET 1Description Step-Down Converter The BLM075N04 uses advanced trench , technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. KEY CHARACTERISTICS Parameter Value Unit V 40 V DSI 60 A DR .Typ 5.4 m DS(ON)@10V R .Typ 7.8 m DS(ON)@4.5V FEATURES Advanced Trench Technolog

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