BLM08N68-P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BLM08N68-P
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 68 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 95 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 440 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0075 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
Búsqueda de reemplazo de BLM08N68-P MOSFET
BLM08N68-P Datasheet (PDF)
blm08n68-p.pdf

Green Product BLM08N68 68V N-Channel Power MOSFET DESCRIPTION KEY CHARACTERISTICS The BLM08N68 uses advanced trench technology to provide V = 68V,I = 90A DS Dexcellent R , low gate charge. It can be used in a wide R
blm08n10-p blm08n10-b.pdf

Green Product BLM08N10 100V N-Channel Power MOSFET DESCRIPTION KEY CHARACTERISTICS The BLM08N10 uses advanced trench technology to provide V = 100V,I = 110A DS Dexcellent R , low gate charge. It can be used in a wide R
blm08n06-p blm08n06-d blm08n06-e.pdf

Green Product BLM08N06 60V N-Channel Power MOSFET DESCRIPTION KEY CHARACTERISTICS The BLM08N06 uses advanced trench technology to provide V = 60V,I = 80A DS Dexcellent R , low gate charge. It can be used in a wide R
blm08p02-r blm08p02-e.pdf

Green Product BLM08P02 30V P-Channel Power MOSFET DESCRIPTION KEY CHARACTERISTICS The BLM08P02 uses advanced trench technology to provide V = -20V,I = -40A (PDFN3.3*3.3) DS Dexcellent R , low gate charge. It can be used in a wide DS(ON) I = -25A (SOP8) Dvariety of applications. R
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History: NTMFS4927NT1G | HY3N80T | CHM9424JGP | IXFP26N50P3 | SM7506NFP | TPR65R360M
History: NTMFS4927NT1G | HY3N80T | CHM9424JGP | IXFP26N50P3 | SM7506NFP | TPR65R360M



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