BLM08N68-P MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BLM08N68-P

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 68 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 95 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 440 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0075 Ohm

Encapsulados: TO-220

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BLM08N68-P datasheet

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BLM08N68-P

Green Product BLM08N68 68V N-Channel Power MOSFET DESCRIPTION KEY CHARACTERISTICS The BLM08N68 uses advanced trench technology to provide V = 68V,I = 90A DS D excellent R , low gate charge. It can be used in a wide R

 8.1. Size:1177K  belling
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BLM08N68-P

Green Product BLM08N10 100V N-Channel Power MOSFET DESCRIPTION KEY CHARACTERISTICS The BLM08N10 uses advanced trench technology to provide V = 100V,I = 110A DS D excellent R , low gate charge. It can be used in a wide R

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BLM08N68-P

Green Product BLM08N06 60V N-Channel Power MOSFET DESCRIPTION KEY CHARACTERISTICS The BLM08N06 uses advanced trench technology to provide V = 60V,I = 80A DS D excellent R , low gate charge. It can be used in a wide R

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BLM08N68-P

Green Product BLM08P02 30V P-Channel Power MOSFET DESCRIPTION KEY CHARACTERISTICS The BLM08P02 uses advanced trench technology to provide V = -20V,I = -40A (PDFN3.3*3.3) DS D excellent R , low gate charge. It can be used in a wide DS(ON) I = -25A (SOP8) D variety of applications. R

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