BLP03N08-F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: BLP03N08-F
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 357 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 85 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 180 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 138.3 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 115 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1549 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.003 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247

Búsqueda de reemplazo de MOSFET BLP03N08-F

BLP03N08-F Datasheet (PDF)

..1. Size:967K belling
blp03n08-f.pdf

BLP03N08 MOSFET Step-Down Converter , 1Description BLP03N08, the N-channel Enhanced Power MOSFETs, is obtained by advanced double trench technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. This is suitable device for BMS and high current switching applications. KEY CHARACTERISTICS Parameter Value Unit V 85 V

5.1. Size:1099K belling
blp03n08-ba blp03n08-t.pdf

5.2. Size:976K belling
blp03n08-b blp03n08-p.pdf

8.1. Size:1099K belling
blp03n10-ba blp03n10-t.pdf

BLP03N10 MOSFET Step-Down Converter , 1Description BLP03N10, the N-channel Enhanced Power MOSFETs, is obtained by advanced double trench technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. This is suitable device for BMS and high current switching applications. KEY CHARACTERISTICS Parameter Value Unit V 100

8.2. Size:959K belling
blp03n10-f.pdf