AMPCW120R30CV MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AMPCW120R30CV
   Código: AMP120R30CV
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 375 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 22 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 73 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.8 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: TBD nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 165 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AMPCW120R30CV

AMPCW120R30CV Datasheet (PDF)

..1. Size:519K cn marching-power
ampcw120r30cv.pdf

AMPCW120R30CV31200V 0mohm SiC N channel MOSFETFeatures: Applications: High-speed switching performance motor drive low capacitances DC/DC converters Fast intrinsic diode with low reverse Switched mode power suppliesrecovery (QRR) Solar inverters OBC Halogen-freeRoHS compliant (Note 1)Key Performance Parameters:Parameter Value UnitVDS

5.1. Size:520K cn marching-power
ampcw120r40cu.pdf

AMPCW120R40CU41200V 0mohm SiC N channel MOSFETFeatures: Applications: High-speed switching performance motor drive low capacitances DC/DC converters Fast intrinsic diode with low reverse Switched mode power suppliesrecovery (QRR) Solar inverters OBC Halogen-freeRoHS compliant (Note 1)Key Performance Parameters:Parameter Value UnitVDS

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Liste

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