AMPCW120R30CV MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AMPCW120R30CV
Código: AMP120R30CV
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 375 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 22 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 73 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.8 VQgⓘ - Carga de la puerta: TBD nC
trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 165 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de MOSFET AMPCW120R30CV
AMPCW120R30CV Datasheet (PDF)
ampcw120r30cv.pdf
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AMPCW120R30CV31200V 0mohm SiC N channel MOSFETFeatures: Applications: High-speed switching performance motor drive low capacitances DC/DC converters Fast intrinsic diode with low reverse Switched mode power suppliesrecovery (QRR) Solar inverters OBC Halogen-freeRoHS compliant (Note 1)Key Performance Parameters:Parameter Value UnitVDS
ampcw120r40cu.pdf
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AMPCW120R40CU41200V 0mohm SiC N channel MOSFETFeatures: Applications: High-speed switching performance motor drive low capacitances DC/DC converters Fast intrinsic diode with low reverse Switched mode power suppliesrecovery (QRR) Solar inverters OBC Halogen-freeRoHS compliant (Note 1)Key Performance Parameters:Parameter Value UnitVDS
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