AMPCW120R40CU Todos los transistores

 

AMPCW120R40CU MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AMPCW120R40CU
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 22 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 57 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 152 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.069 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247
 

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AMPCW120R40CU Datasheet (PDF)

 ..1. Size:520K  cn marching-power
 ampcw120r40cu.pdf pdf_icon

AMPCW120R40CU

AMPCW120R40CU41200V 0mohm SiC N channel MOSFETFeatures: Applications: High-speed switching performance motor drive low capacitances DC/DC converters Fast intrinsic diode with low reverse Switched mode power suppliesrecovery (QRR) Solar inverters OBC Halogen-freeRoHS compliant (Note 1)Key Performance Parameters:Parameter Value UnitVDS

 5.1. Size:519K  cn marching-power
 ampcw120r30cv.pdf pdf_icon

AMPCW120R40CU

AMPCW120R30CV31200V 0mohm SiC N channel MOSFETFeatures: Applications: High-speed switching performance motor drive low capacitances DC/DC converters Fast intrinsic diode with low reverse Switched mode power suppliesrecovery (QRR) Solar inverters OBC Halogen-freeRoHS compliant (Note 1)Key Performance Parameters:Parameter Value UnitVDS

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History: FQU6N40CTU | FQU6P25TU

 

 
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