MPSU60M370 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MPSU60M370
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 78 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 30 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.37 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-251

Búsqueda de reemplazo de MOSFET MPSU60M370

MPSU60M370 Datasheet (PDF)

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mpsa60m370 mpsp60m370 mpsu60m370 mpsd60m370.pdf

MPSA60M370,MPSP60M370,MPSU60M370,MPSD60M370 FEATURES APPLICATIONS BVDSS=600V, ID=11A Switch Mode Power Supply (SMPS)RDS(on):0.37(Max)@VGS=10V Uninterruptible Power Supply (UPS)Very low FOM RDS(on)Qg Power Factor Correction (PFC) 100% avalanche tested RoHS compliantTO-252TO-220TO-220F TO-251Device Marking and Package InformationOrdering code

7.1. Size:1123K cn marching-power
mpsa60m940 mpsp60m940 mpsu60m940 mpsd60m940.pdf

MPSA60M940,MPSP60M940,MPSU60M940,MPSD60M940 FEATURES APPLICATIONS BVDSS=600V, ID=4A Switch Mode Power Supply (SMPS)RDS(on):0.94(Max)@VGS=10V Uninterruptible Power Supply (UPS)Very low FOM RDS(on)Qg Power Factor Correction (PFC) 100% avalanche tested RoHS compliantTO-252TO-220TO-220F TO-251Device Marking and Package InformationOrdering code

7.2. Size:1583K cn marching-power
mpsa60m600 mpsp60m600 mpsu60m600 mpsd60m600.pdf

MPSA60M600,MPSP60M600,MPSU60M600,MPSD60M600FEATURES APPLICATIONS BVDSS=600V, ID=8A Switch Mode Power Supply (SMPS)RDS(on):0.6(Max)@VGS=10V Uninterruptible Power Supply (UPS)Very low FOM RDS(on)Qg Power Factor Correction (PFC) 100% avalanche tested RoHS compliantTO-252TO-220TO-220F TO-251Device Marking and Package InformationOrdering code Pa

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mpsu60.pdf

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Liste

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