MPVA4N65F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MPVA4N65F
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 36 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 11 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 55 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 48 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F

Búsqueda de reemplazo de MOSFET MPVA4N65F

MPVA4N65F Datasheet (PDF)

..1. Size:1056K cn marching-power
mpva4n65f mpvu4n65f mpvd4n65f.pdf

MPVX4N65F SeriesPower MOSFETMPSW60M041FEATURESAPPLICATIONSl BVDSS: 650V, ID=4A l Switch Mode Power Supply (SMPS)l RDS(on) : 2.8(Max) @VGS=10Vl Uninterruptible Power Supply (UPS)l Very Low FOM (RDS(on) *Qg)l Power Factor Correction (PFC)l Excellent stability and uniformityl AC to DC ConvertersDGTO-220F TO-251 TO-252SOrdering InformationType NO. Marking Pack

8.1. Size:1503K cn marching-power
mpva4n70f mpvu4n70f mpvd4n70f.pdf

MPVX4N70F SeriesPower MOSFETMPSW60M041FEATURESAPPLICATIONSl BVDSS: 700V, ID=4A l Switch Mode Power Supply (SMPS)l RDS(on) : 3.5(Max) @VGS=10Vl Uninterruptible Power Supply (UPS)l Very Low FOM (RDS(on) *Qg)l Power Factor Correction (PFC)l Excellent stability and uniformityl AC to DC ConvertersDGTO-220F TO-251 TO-252SOrdering InformationType NO. Marking Pack

Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: