MPVD4N65F Todos los transistores

 

MPVD4N65F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MPVD4N65F
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 80 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 55 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 48 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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MPVD4N65F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1056K  cn marching-power
 mpva4n65f mpvu4n65f mpvd4n65f.pdf pdf_icon

MPVD4N65F

MPVX4N65F SeriesPower MOSFETMPSW60M041FEATURESAPPLICATIONSl BVDSS: 650V, ID=4A l Switch Mode Power Supply (SMPS)l RDS(on) : 2.8(Max) @VGS=10Vl Uninterruptible Power Supply (UPS)l Very Low FOM (RDS(on) *Qg)l Power Factor Correction (PFC)l Excellent stability and uniformityl AC to DC ConvertersDGTO-220F TO-251 TO-252SOrdering InformationType NO. Marking Pack

 8.1. Size:1503K  cn marching-power
 mpva4n70f mpvu4n70f mpvd4n70f.pdf pdf_icon

MPVD4N65F

MPVX4N70F SeriesPower MOSFETMPSW60M041FEATURESAPPLICATIONSl BVDSS: 700V, ID=4A l Switch Mode Power Supply (SMPS)l RDS(on) : 3.5(Max) @VGS=10Vl Uninterruptible Power Supply (UPS)l Very Low FOM (RDS(on) *Qg)l Power Factor Correction (PFC)l Excellent stability and uniformityl AC to DC ConvertersDGTO-220F TO-251 TO-252SOrdering InformationType NO. Marking Pack

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History: HUFA76432P3 | IXFH28N60P3 | 2SK1905 | H4946S | IRF4104PBF | 9N90G-TF1-T | IXFC16N80P

 

 
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