FIR6N60FG MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FIR6N60FG

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 85 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 65 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.6 Ohm

Encapsulados: TO-220F

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FIR6N60FG datasheet

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FIR6N60FG

FIR6N60FG N-Channel Power MOSFET PIN Connection TO-220F VDSS 600 V ID 6 A PD(TC=25 ) 85 W RDS(ON) 1.4 G Features D S Fast Switching g Schematic dia ram Low ON Resistance(Rdson 1.6 ) D Low Gate Charge (Typical Data 22nC) Low Reverse transfer capacitances(Typical 14pF) G 100% Single Pulse avalanche energy Test S Marking Diagram Applications Powe

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FIR6N60FG

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FIR6N60FG

FIR6N40FG 400V N-Channel MOSFET -T PIN Connection TO-220F Features Low Intrinsic Capacitances. Excellent Switching Characteristics. Extended Safe Operating Area. Unrivalled Gate Charge Qg=22nC (Typ.). BVDSS=400V,ID=6A G RDS(on) 1.0 (Max) @VG=10V D S 100% Avalanche Tested g Schematic dia ram D G S Marking Diagram Y = Year A = Assembly

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FIR6N60FG

FIR6N90FG 900V N-Channel MOSFET-T PIN Connection TO-220F Features Low Intrinsic Capacitances. Excellent Switching Characteristics. Extended Safe Operating Area. Unrivalled Gate Charge Qg=30nC (Typ.). BVDSS=900V,ID=6A G D S RDS(on) 2.1 (Max) @VG=10V 100% Avalanche Tested g Schematic dia ram D G S Marking Diagram Y = Year A = Assembly L

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