FIR9N90FG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FIR9N90FG
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 45 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 120 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 175 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F

Búsqueda de reemplazo de MOSFET FIR9N90FG

FIR9N90FG Datasheet (PDF)

..1. Size:2068K first semi
fir9n90fg.pdf

FIR9N90FG900V N-Channel MOSFET -TTO-220F Features: Low Intrinsic Capacitances. Excellent Switching Characteristics. Extended Safe Operating Area. Unrivalled Gate Charge: Qg= 45nC (Typ.). BVDSS=900V,ID=9A RDS(on) : 1.4 (Max) @VG=10V 100% Avalanche Tested1.Gate (G)2.Drain (D)3.Source (S)Absolute Maximum Ratings (Ta=25 unless otherwise noted)

9.1. Size:6786K first semi
fir9n50fg.pdf

FIR9N50FGN-Channel Power MOSFETPIN Connection TO-220FVDSS 500 VID 9 APD (TC=25) 130 WRDS(ON) 0.68 G Features D S Fast Switching gSchematic dia ram ) Low ON Resistance(Rdson 0.85 D Low Gate Charge (Typical Data:13nC) Low Reverse transfer capacitances(Typical:12pF) G 100% Single Pulse avalanche energy Test S Applications Power switch circu

9.2. Size:1785K first semi
fir9n65lg.pdf

FIR9N65LG9A 650V N-CHANNEL MOSFET-E GENERAL DESCRIPTION PIN Connection TO-252(D-PAK)FIR9N65LG is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary F-CellTMhigh-voltage planar VDMOS technology. The improved process and Dcell structure have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching

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