P0165ED MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: P0165ED
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 37 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 26 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 30 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 10.6 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET P0165ED

P0165ED Datasheet (PDF)

..1. Size:188K niko-sem
p0165ed.pdf

N-Channel Enhancement Mode P0165EDNIKO-SEM TO-252 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-FreeDPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1. GATE 2. DRAIN G650V 10.6 1A 3. SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSDrain-Source Voltage VDS 650 VGate-Source Voltage VGS 30 VTC = 25 C

8.1. Size:204K niko-sem
p0165ei.pdf

N-Channel Enhancement Mode P0165EI NIKO-SEM TO-251 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1. GATE 2. DRAIN G650V 10.6 1A 3. SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 650 V Gate-Source Voltage VGS 30 V TC = 2

9.1. Size:381K unikc
p0165ai.pdf

P0165AIN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID650V 14 @VGS = 10V 1ATO-251ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 650VVGSGate-Source Voltage 30TC = 25 C1IDContinuous Drain Current2TC = 100 C0.6AIDM3Pulsed Drain Current1,

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Liste

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