P0706BD Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: P0706BD  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 115 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 87 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 423 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0075 Ohm

Encapsulados: TO-252

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P0706BD datasheet

 ..1. Size:202K  niko-sem
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P0706BD

N-Channel Enhancement Mode P0706BD NIKO-SEM TO-252 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1. GATE G 60V 7.5m 87A 2. DRAIN 3. SOURCE S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 60 V Gate-Source Voltage VGS 20 V TC = 25

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P0706BD

N-Channel Enhancement Mode P0706BV NIKO-SEM SOP-8 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1. GATE G 60V 7.5m 16A 2. DRAIN 3. SOURCE S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 60 V Gate-Source Voltage VGS 20 V TA = 25 C 16

 8.2. Size:230K  niko-sem
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P0706BD

N-Channel Enhancement Mode P0706BK NIKO-SEM PDFN 5x6P Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free D D D D D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G 60V 7m 57A G. GATE D. DRAIN S. SOURCE #1 S S S G S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 60 V Gate-Source Voltage VGS 2

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