P0706BD MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: P0706BD
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 115 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 87 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.3 VQgⓘ - Carga de la puerta: 58 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 423 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0075 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET P0706BD
P0706BD Datasheet (PDF)
p0706bd.pdf
N-Channel Enhancement Mode P0706BD NIKO-SEM TO-252 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1. GATE G60V 7.5m 87A 2. DRAIN 3. SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 60 V Gate-Source Voltage VGS 20 V TC = 25
p0706bv.pdf
N-Channel Enhancement Mode P0706BVNIKO-SEM SOP-8 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-FreeDPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1. GATE G60V 7.5m 16A 2. DRAIN 3. SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSDrain-Source Voltage VDS 60 VGate-Source Voltage VGS 20 VTA = 25 C 16
p0706bk.pdf
N-Channel Enhancement Mode P0706BKNIKO-SEM PDFN 5x6P Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-FreeDD D D DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G60V 7m 57A G. GATE D. DRAIN S. SOURCE #1 S S S GSABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSDrain-Source Voltage VDS 60 VGate-Source Voltage VGS 2
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