P0765JD Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: P0765JD  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 63 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 26 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 35 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.6 Ohm

Encapsulados: TO-252

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P0765JD datasheet

 ..1. Size:308K  niko-sem
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P0765JD

N-Channel Enhancement Mode P0765JD NIKO-SEM Field Effect Transistor TO-252 Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY D V(BR)DSS RDS(ON) ID 650V 600m 7A G 1. GATE 2. DRAIN 3. SOURCE S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 650 V Gate-Source Voltage VGS 30 V TC =

 9.1. Size:432K  unikc
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P0765JD

P0765ATF N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 650V 1.5 @VGS = 10V 7A TO-220F ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 650 V VGS Gate-Source Voltage 30 TC = 25 C 7 ID Continuous Drain Current2 TC = 100 C 4.2 A IDM 28 Pulsed Drain Curren

 9.2. Size:502K  unikc
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P0765JD

P0765GTF / P0765GTFS N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1.5 @VGS = 10V 650V 7A TO-220F TO-220FS ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 650 V VGS Gate-Source Voltage 30 TC = 25 C 7 ID Continuous Drain Current2 TC = 100 C 4 A IDM

Otros transistores... P0508AT, P0610BT, P0620ED, P0660ED, P0660EI, P0706BD, P0706BK, P0706BV, IRF1010E, P0770ED, P0770JD, P0770JF, P0865ETF, P0903YK, P0908AK, P1010AT, P1050ETF