P1065ETF Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: P1065ETF  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 48 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 38 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 167 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.77 Ohm

Encapsulados: TO-220F

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- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

P1065ETF datasheet

 ..1. Size:259K  niko-sem
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P1065ETF

P1065ETF NIKO-SEM N-Channel Enhancement Mode TO-220F Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1. GATE 2. DRAIN G 650V 0.77 10A 3. SOURCE S ABSOLUTE MAXIMUN RATINGS(TA=25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 650 V Gate-Source Voltage VGS 30 V TC = 25

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P1065ETF

P1065ATF N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 650V 0.75 @VGS = 10V 10A TO-220F ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 650 V VGS Gate-Source Voltage 30 TC = 25 C 10 ID Continuous Drain Current2 TC = 100 C 6 A IDM 35 Pulsed Drain Curre

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P1065ETF

P1065AT N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 650V 0.75 @VGS = 10V 10A TO-220 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 650 V VGS Gate-Source Voltage 30 TC = 25 C 10 ID Continuous Drain Current2 TC = 100 A C 5 IDM 30 Pulsed Drain Current1

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