P1850EF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: P1850EF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 62.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 310 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.24 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220F
Búsqueda de reemplazo de P1850EF MOSFET
P1850EF Datasheet (PDF)
p1850ef.pdf

N-Channel High Voltage Mode P1850EF NIKO-SEM Field Effect Transistor TO-220F Halogen-Free & Lead-Free DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1. GATE 2. DRAIN G500V 0.24 18A 3. SOURCE SABSOLUTE MAXIMUN RATINGS(TA=25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 500 V Gate-Source Voltage VGS 30 V TC = 25
Otros transistores... P1410BK , P1560JD , P1560JF , P1610AK , P1610ATF , P1615ATA , P1615ATFA , P1625ED , AO3401 , P2020YD , P2060JF , P2206BEA , P2206BT , P2206BTF , P2206BV , P2206HK , P2610BI .
History: TPCC8062-H | SSM3J332R | BSC060P03NS3EG | AO4800 | GM2302 | IPB77N06S2-12 | RJL5014DPK
History: TPCC8062-H | SSM3J332R | BSC060P03NS3EG | AO4800 | GM2302 | IPB77N06S2-12 | RJL5014DPK



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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