P2060JF Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: P2060JF  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 33 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 47 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 75 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.196 Ohm

Encapsulados: TO-220F

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- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

P2060JF datasheet

 ..1. Size:334K  niko-sem
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P2060JF

N-Channel Enhancement Mode P2060JF NIKO-SEM Field Effect Transistor TO-220F Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 600V 196m 20A D G 1. GATE 2. DRAIN S 3. SOURCE ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 600 V Gate-Source Voltage VGS 30 V TC

 9.1. Size:406K  diodes
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P2060JF

DMP2060UFDB DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Low On-Resistance ID MAX V(BR)DSS RDS(ON) max Low Input Capacitance TA = +25 C 90m @ VGS = -4.5V -3.2A Low Profile, 0.6mm Max Height -20V 137m @ VGS = -2.5V -2.6A ESD protected Gate Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free.

 9.2. Size:837K  unikc
 p2060ztf-s.pdf pdf_icon

P2060JF

P2060ZTF / P2060ZTFS N-Channel High Voltage Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 190m @VGS = 10V 600V 20A TO-220F TO-220FS ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 600 V VGS Gate-Source Voltage 30 TC = 25 C 20 ID Continuous Drain Current2 TC = 100 A C 12 ID

Otros transistores... P1560JF, P1610AK, P1610ATF, P1615ATA, P1615ATFA, P1625ED, P1850EF, P2020YD, AO3400A, P2206BEA, P2206BT, P2206BTF, P2206BV, P2206HK, P2610BI, P2610BK, P2610BTF