P3606BK Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: P3606BK  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 27 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 77 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm

Encapsulados: PDFN5X6P

 Búsqueda de reemplazo de P3606BK MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

P3606BK datasheet

 ..1. Size:368K  niko-sem
 p3606bk.pdf pdf_icon

P3606BK

P3606BK NIKO-SEM N-Channel Enhancement Mode PDFN 5x6P Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free D D D D D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G 60V 40m 17A G. GATE D. DRAIN S. SOURCE #1 S S S G S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 60 V Gate-Source Vol

 8.1. Size:481K  unikc
 p3606bd.pdf pdf_icon

P3606BK

P3606BD N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 36m @VGS = 10V 60V 22A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 60 V VGS Gate-Source Voltage 20 TC= 25 C 22 ID Continuous Drain Current TC= 100 C 14 A IDM 45 Pulsed Drain Current1 I

 8.2. Size:295K  niko-sem
 p3606bd.pdf pdf_icon

P3606BK

P3606BD N-Channel Enhancement Mode NIKO-SEM TO-252 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1. GATE G 60V 36m 22A 2. DRAIN 3. SOURCE S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 60 V Gate-Source Voltage VGS 20 V TC = 25

 8.3. Size:303K  niko-sem
 p3606bea.pdf pdf_icon

P3606BK

P3606BEA NIKO-SEM N-Channel Enhancement Mode PDFN 3x3P Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free D D D D D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G 60V 36m 16A G. GATE D. DRAIN #1 S S S G S. SOURCE S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 60 V Gate-Source Volt

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... P2610BK, P2610BTF, P2A06BT, P3506ED, P3506EK, P3506ET, P3506ETF, P3606BEA, MMIS60R580P, P3606NEA, P3710BK, P3710BT, P3710BTF, P3710HK, P5015CD, P5506BDA, P5506BVA