P5510EK MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: P5510EK
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 89 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 27 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 76 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 51 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 155 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.059 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5X6P

Búsqueda de reemplazo de MOSFET P5510EK

P5510EK Datasheet (PDF)

..1. Size:392K niko-sem
p5510ek.pdf

P-Channel Enhancement Mode P5510EK NIKO-SEM PDFN 5x6P Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY DV(BR)DSS RDS(ON) ID -100V 59m -27A GFeatures Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. S Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. D D D D Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses.

8.1. Size:337K niko-sem
p5510ed.pdf

P-Channel Enhancement Mode P5510ED NIKO-SEM TO-252 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID -100V 59m -27A DGFeatures Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. S Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. Application

9.1. Size:424K diodes
bcp54ta bcp5410ta bcp5416ta bcp5416qta bcp55ta bcp5510ta bcp5516ta bcp56ta bcp5610ta bcp5616ta bcp5616tc bcp5616qta bcp5616qtc.pdf

BCP 54/ 55/ 56 NPN MEDIUM POWER TRANSISTORS IN SOT223 Features Mechanical Data BVCEO > 45V, 60V & 80V Case: SOT223 IC = 1A High Continuous Collector Current Case Material: Molded Plastic. Green Molding Compound; ICM = 2A Peak Pulse Current UL Flammability Rating 94V-0 2W Power Dissipation Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020 Low Saturat

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: